MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT040H65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, H2PAK-7 de 7 pines
- Código RS:
- 249-6654
- Referência do fabricante:
- SCT040H65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 249-6654
- Referência do fabricante:
- SCT040H65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 7 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 7 | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 3a generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Certificación AEC-Q101
RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas
Alto rendimiento de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Pin de detección de fuente para mayor eficacia