MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- Código RS:
- 201-0869
- Referência do fabricante:
- SCTH90N65G2V-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
27,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 07 de maio de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 27,20 € |
| 10 - 24 | 24,62 € |
| 25 - 49 | 24,07 € |
| 50 - 99 | 22,86 € |
| 100 + | 22,58 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 201-0869
- Referência do fabricante:
- SCTH90N65G2V-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 116A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SCTH90 | |
| Encapsulado | H2PAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 157nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 484W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.8mm | |
| Longitud | 15.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 116A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SCTH90 | ||
Encapsulado H2PAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 157nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 484W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.8mm | ||
Longitud 15.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 116A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 175 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacidad de entrada y carga de puerta extremadamente baja
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 116 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT018H65G3-7, VDSS 650 V, ID 55 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT018H65G3-7, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, H2PAK de 7 pines