MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines

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Código RS:
201-0890
Referência do fabricante:
SCTH35N65G2V-7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

650 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

45 A

Encapsulado

H2PAK-7

Modo de canal

Mejora

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

0.055 Ω

Tipo de montaje

Superficie

Serie

SCTH35

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

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