MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 201-0890
- Referência do fabricante:
- SCTH35N65G2V-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 201-0890
- Referência do fabricante:
- SCTH35N65G2V-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Serie | SCTH35 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.055Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Serie SCTH35 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.055Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de 650 V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45 A y Resistencia de drenaje a fuente de 55 m ohmios. Tiene una baja resistencia de conexión por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de la unión.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia