MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- Código RS:
- 214-955
- Referência do fabricante:
- SCT027H65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
11,58 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 1000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 11,58 € |
| 10 - 99 | 11,44 € |
| 100 + | 11,29 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-955
- Referência do fabricante:
- SCT027H65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión directa Vf | 2.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.8mm | |
| Longitud | 15.25mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión directa Vf 2.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.8mm | ||
Longitud 15.25mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Alta velocidad de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 116 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT018H65G3-7, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT018H65G3-7, VDSS 650 V, ID 55 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, H2PAK de 7 pines