Módulo de potencia SiC, Tipo N-Canal Littelfuse, VDSS 12 V, ID 36 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 245-6995
- Referência do fabricante:
- IXFA36N60X3
- Fabricante:
- Littelfuse
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|---|---|---|
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| 100 - 450 | 4,866 € | 243,30 € |
| 500 - 950 | 4,418 € | 220,90 € |
| 1000 - 2450 | 4,301 € | 215,05 € |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 245-6995
- Referência do fabricante:
- IXFA36N60X3
- Fabricante:
- Littelfuse
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Littelfuse | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Littelfuse | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este producto Littelfuse es un MOSFET de unión ultra clase 600V X3 disponible en una corriente nominal de 36A A y un encapsulado TO263. Estos MOSFET de potencia disponen de RDSon de resistencia de canal significativamente reducida y carga de puerta QG. Cuentan con las cifras más bajas de mérito RDS QG y RthJC. Estas ventajas permiten a los diseñadores lograr una mayor eficiencia utilizando un diseño térmico simplificado. Esta serie HiPerFETde MOSFET de potencia dispone de diodos de cuerpo que ofrecen una carga de recuperación inversa baja y un tiempo de recuperación inversa corto.
Pérdidas estáticas bajas
Ideal para aplicaciones de alta frecuencia
Diseño térmico simplificado
Alta resistencia contra sobretensión
Baja demanda de potencia de accionamiento de puerta
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