MOSFET, N-Canal Littelfuse LSIC1MO170T0750-TU, VDSS 1.7 kV, ID 4.5 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 223-3049
- Referência do fabricante:
- LSIC1MO170T0750-TU
- Fabricante:
- Littelfuse
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Littelfuse | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.7kV | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | LSIC1MO170T0750 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 750mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 3.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 16.18mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.28mm | |
| Longitud | 10.18mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Littelfuse | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.7kV | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie LSIC1MO170T0750 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 750mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 3.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 16.18mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.28mm | ||
Longitud 10.18mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los nuevos MOSFET de carburo de silicio (SiC) 1700V y 750mOhm de Littelfuse se presentan en encapsulado TO-263-7L. El contacto de fuente separado reduce significativamente la ruta de inductancia de fuente parásita al controlador, lo que ayuda a mejorar la eficiencia en aplicaciones de alta potencia. La temperatura máxima de funcionamiento de la unión es de 175 °C.
Estos MOSFET son ideales para aplicaciones de alta frecuencia en las que se desea alta eficiencia.
Optimizado para aplicaciones de alta frecuencia y alta eficiencia
Salida y carga de puerta extremadamente baja
capacidad
Resistencia de puerta baja para conmutación de alta frecuencia
Operaciones normalmente desactivadas a todas las temperaturas
Resistencia de conexión ultrabaja
Encapsulado optimizado con contacto de fuente de controlador independiente
Clasificación MSL 1
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