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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	36A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	95mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	66nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd	272W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	4.58mm
	Anchura	9.65 mm
	Longitud	10.67mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 36A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 66nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd 272W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 4.58mm
	Anchura 9.65 mm
	Longitud 10.67mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

SUPERFET III MOSFET es la nueva familia MOSFET on Semiconductor de alta tensión (SJ) que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer un rendimiento de carga bajo y bajo en resistencia excepcional y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SUPERFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para la miniaturización y una mayor eficiencia. SUPERFET III FRFET MOSFET optimizado rendimiento de recuperación inversa del diodo del cuerpo puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.

700 V a TJ = 150 °C

Carga de puerta ultra baja (Typ. QG = 66 nC)

Capacitancia de salida efectiva baja (Typ. COSS(eff.) = 569 pF)

Excelente rendimiento de diodo de cuerpo (bajo Qrr, diodo de cuerpo sólido)

Capacitancia optimizada

Typ. RDS(on) = 80 mΩ Mayor fiabilidad del sistema en funcionamiento a baja temperatura

Menor pérdida de conmutación

Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Aplicaciones

Telecomunicaciones

Sistema en la nube

Industriales

Productos finales

Alimentación de telecomunicaciones

Alimentación de servidores

Cargador EV

Solar / SAI

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 36 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

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