Módulo de potencia SiC, Tipo N-Canal Littelfuse IXFT60N60X3HV, VDSS 12 V, ID 36 A, Mejora, TO-268 de 3 pines
- Código RS:
- 245-7012
- Referência do fabricante:
- IXFT60N60X3HV
- Fabricante:
- Littelfuse
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- Código RS:
- 245-7012
- Referência do fabricante:
- IXFT60N60X3HV
- Fabricante:
- Littelfuse
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Littelfuse | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | TO-268 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Littelfuse | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado TO-268 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este producto Littelfuse es un MOSFET de unión ultra clase 600V X3 disponible en corriente nominal de 60A A y en encapsulado 247. Estos MOSFET de potencia disponen de resistencia de canal RDS ON y carga de puerta QG significativamente reducida. Disponen de las cifras más bajas de mérito RDS en QG y RDS en . Estas ventajas permiten a los diseñadores lograr una mayor eficiencia utilizando un diseño térmico simplificado. Esta serie HiPerFET de MOSFET de potencia dispone de diodos de cuerpo que ofrecen una carga de recuperación inversa baja y un tiempo de recuperación inversa corto.
Pérdidas estáticas bajas
Ideal para aplicaciones de alta frecuencia
Diseño térmico simplificado
Alta resistencia contra sobretensión
Baja demanda de potencia de accionamiento de puerta
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