MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines

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Código RS:
244-0901
Referência do fabricante:
IPT012N08N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

400A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

IPT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de la serie IPT de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 400 A - IPT012N08N5ATMA1


Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de alta tensión y alta corriente diseñado para entornos exigentes de conversión de potencia y automoción. Funciona como transistor de canal N para controlar grandes cargas de DC y está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere resistencia térmica y un rendimiento eléctrico robusto.

Características y ventajas:


• La clasificación de 800 V permite el funcionamiento de interruptores de alta tensión
• La corriente continua de 400 A admite aplicaciones de carga pesada
• La baja Rds(on) de 1.2 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 81 W permite un manejo de potencia sostenido
• La carga de puerta de 80 nC permite un control de conmutación predecible
• El rango de temperatura de –55 a 175 °C garantiza una amplia tolerancia térmica

Aplicaciones


• Apto para etapas de inversor de tracción de alta tensión
• Ideal para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Se utiliza con convertidores de potencia de automoción que cumplen los requisitos AEC‐Q101
• Puede utilizarse para la conmutación de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza para topologías de convertidor dc-dc de alta corriente

¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse?


El dispositivo admite hasta 20 V entre la puerta y la fuente y requiere niveles de accionamiento de puerta adecuados dentro de ese límite.

¿Qué encapsulado debe tenerse en cuenta para la gestión térmica?


El encapsulado de montaje en superficie TO‐263 ofrece una gran área de almohadilla térmica para disipación térmica y disipación térmica de PCB.

¿Cómo maneja el componente la certificación de automoción?


Cumple el estándar de prueba de automoción AEC-Q101 para dispositivos semiconductores utilizados en vehículos.

¿Qué conformidad con la normativa ambiental existe?


El componente cumple los requisitos RoHS para sustancias peligrosas restringidas.

¿Cuál es el tipo de conducción del canal y la orientación de conmutación?


Se trata de un dispositivo de canal N configurado para conducción de drenaje a fuente en disposiciones de interruptor de lado alto o lado bajo convencionales.

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