MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines
- Código RS:
- 244-0903
- Referência do fabricante:
- IPT020N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (2000 unidades, em rolo de 2000)*
4 436,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 18 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 2,218 € | 4 436,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-0903
- Referência do fabricante:
- IPT020N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 400A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 400A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie IPT de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 400 A - IPT020N10N5ATMA1
Este MOSFET es un semiconductor de conmutación de alta tensión diseñado para aplicaciones de potencia exigentes, que proporciona una conducción controlada en configuraciones de canal N en un amplio rango ambiental. Está diseñado para implementaciones de montaje en superficie donde se requiere un manejo de corriente y un rendimiento térmico robustos, y cumple las restricciones ambientales del sector.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 800 V permite la conmutación de alta tensión en sistemas de alimentación
• La corriente de drenaje continua de 400 A admite cargas de corriente pesada
• La baja Rds(on) de 1.2 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 81 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 80 nC permite transiciones de conmutación rápidas
• El valor nominal de puerta de 20 V permite una amplia flexibilidad de accionamiento de puerta
• La corriente de drenaje continua de 400 A admite cargas de corriente pesada
• La baja Rds(on) de 1.2 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 81 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 80 nC permite transiciones de conmutación rápidas
• El valor nominal de puerta de 20 V permite una amplia flexibilidad de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para inversores de tracción y accionamientos de motor de alta tensión
• Ideal para convertidores dc-dc en fuentes de alimentación industriales
• Se utiliza para conmutación de alta corriente en sistemas de almacenamiento de energía
• Puede utilizarse para la electrónica de potencia integrada en entornos exigentes
• Se utiliza con soluciones de gestión térmica en conjuntos de montaje en superficie
• Ideal para convertidores dc-dc en fuentes de alimentación industriales
• Se utiliza para conmutación de alta corriente en sistemas de almacenamiento de energía
• Puede utilizarse para la electrónica de potencia integrada en entornos exigentes
• Se utiliza con soluciones de gestión térmica en conjuntos de montaje en superficie
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar en funcionamiento?
Funciona de manera fiable desde -55 °C hasta 175 °C.
¿Cómo se suministra para montaje en placas?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-263 para colocar placas soldadas.
¿Qué cualificación automovilística cumple para su uso en vehículos?
Cumple el estándar de automoción AEC-Q101 para la robustez de los componentes.
¿Es adecuado para proyectos con sustancias restringidas?
El dispositivo cumple la directiva RoHS, lo que indica el cumplimiento de límites de sustancias restringidas.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT020N10N5ATMA1, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT012N08N5ATMA1, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT026N10N5ATMA1, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPLU300N04S4R8XTMA1, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80R290C3AATMA2, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263