MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-263 de 8 pines
- Código RS:
- 244-0899
- Referência do fabricante:
- IPLU300N04S4R8XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
4 070,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 15 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 2,035 € | 4 070,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-0899
- Referência do fabricante:
- IPLU300N04S4R8XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | IPL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.42mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie IPL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.42mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon en encapsulado TO-Leadless está optimizado para aplicaciones de alta corriente de hasta 300 A, como en carretillas elevadoras, vehículos eléctricos ligeros (LEV), herramientas eléctricas, puntos de carga (POL), telecomunicaciones y fusibles electrónicos. Además, al ser el encapsulado un 60 % más pequeño, permite un diseño muy compacto.
Canal N, nivel normal
100 % probado en avalancha
Chapado sin plomo
Conforme a RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPLU300N04S4R8XTMA1, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP80R1K2P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80R290C3AATMA2, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 4.5 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA80R650CEXKSA2, VDSS 800 V, ID 4.5 A, N, TO-220 de 3 pines