MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT020N10N5ATMA1, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines
- Código RS:
- 244-0904
- Referência do fabricante:
- IPT020N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
4,02 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 1780 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,02 € |
| 10 - 24 | 3,82 € |
| 25 - 49 | 3,74 € |
| 50 - 99 | 3,50 € |
| 100 + | 3,25 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-0904
- Referência do fabricante:
- IPT020N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 400A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 400A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia industrial IPT020N10N5 en TO-Leadless de Infineon es la opción perfecta para altas frecuencias de conmutación.
Idóneo para conmutación de alta frecuencia y sincronización
Excelente carga de puerta x RDS(on) producto (FOM)
Resistencia de conexión muy baja RDS(on)
Resistencia de conexión muy baja RDS(on)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT012N08N5ATMA1, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT026N10N5ATMA1, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80R290C3AATMA2, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPLU300N04S4R8XTMA1, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 400 A, Mejora, TO-263 de 8 pines