MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN de 8 pines

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Código RS:
242-0304
Referência do fabricante:
IQE006NE2LM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

253A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PQFN

Serie

IQE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.73V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia Infineon OptiMOS 5 es un MOSFET de canal N que tiene una resistencia de conexión muy baja. Está completamente cualificada conforme a JEDEC para aplicaciones industriales.

Probado al 100 % de avalancha

Resistencia térmica superior

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