MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE008N03LM5ATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

4,02 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 +2,01 €4,02 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
240-6627
Referência do fabricante:
IQE008N03LM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

253A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

IQE

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.85mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

0.73V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

La fuente de alimentación Infineon OptiMOSTM 5 de 30 V PQFN 3,3 x 3,3 dispone de 30 V y una baja RDS(on) de 0,85 mOhm. Ofrece varias ventajas, como mayor capacidad térmica, densidad de potencia avanzada o posibilidades de diseño mejoradas. Además, la mayor eficiencia, los requisitos de refrigeración activa reducidos y la disposición eficaz para gestión térmica son ventajas a nivel del sistema.

Pérdidas en PCB mejoradas

Permiten el máximo rendimiento y densidad de potencia

Links relacionados