MOSFET, N-Canal Infineon IQE030N06NM5ATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN de 8 pines

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Código RS:
240-6632
Referência do fabricante:
IQE030N06NM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

253A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

IQE

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.85mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Tensión directa Vf

730mV

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

La fuente de alimentación Infineon OptiMOSTM 5 de 60 V PQFN 3,3 x 3,3 dispone de 60 V y una baja RDS(on) de 3,0 mOhm. Ofrece varias ventajas, como mayor capacidad térmica, densidad de potencia avanzada o posibilidades de diseño mejoradas. Además, la mayor eficiencia, los requisitos de refrigeración activa reducidos y la disposición eficaz para gestión térmica son ventajas a nivel del sistema.

Pérdidas en PCB mejoradas

Permiten el máximo rendimiento y densidad de potencia

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