MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE006NE2LM5ATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

7,28 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 4856 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 183,64 €7,28 €
20 - 483,205 €6,41 €
50 - 982,99 €5,98 €
100 - 1982,80 €5,60 €
200 +2,585 €5,17 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
242-0305
Referência do fabricante:
IQE006NE2LM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

253A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PQFN

Serie

IQE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

0.73V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia Infineon OptiMOS 5 es un MOSFET de canal N que tiene una resistencia de conexión muy baja. Está completamente cualificada conforme a JEDEC para aplicaciones industriales.

Probado al 100 % de avalancha

Resistencia térmica superior

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.