MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SiHA17N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 6.5 A, Reducción, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 239-8622
- Referência do fabricante:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
7,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- 1050 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,60 € | 7,20 € |
| 20 - 98 | 3,38 € | 6,76 € |
| 100 - 198 | 3,055 € | 6,11 € |
| 200 - 498 | 2,88 € | 5,76 € |
| 500 + | 2,70 € | 5,40 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 239-8622
- Referência do fabricante:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.305Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 34W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.305Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Disipación de potencia máxima Pd 34W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 850 V, corriente de drenaje continua máxima de 6,5 A - SiHA17N80AEF-GE3
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua de 6.5 A admite corrientes de carga moderadas
• La Rds(on) de 0.305 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 63 nC reduce las demandas de energía de conmutación
• La disipación de potencia máxima de 34 W gestiona la tensión térmica durante el funcionamiento
• El rango de funcionamiento de -55 °C a +150 °C resiste temperaturas extremas
Aplicaciones
• Ideal para electrónica de automoción que cumple los requisitos AEC‐Q101
• Se utiliza con accionamientos de motor industriales que requieren una conmutación robusta
• Se puede utilizar para etapas SMPS que manejan carriles de alta tensión
• Se utiliza para la conmutación de potencia en interfaces de energía renovable
¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse para un funcionamiento seguro?
¿Cómo influye el encapsulado en el manejo térmico?
¿Qué características del canal afectan a las opciones de topología del circuito?
¿Es adecuado el dispositivo para entornos de automoción regulados?
Links relacionados
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SiHA17N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 6.5 A, Reducción, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHA15N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 6 A, Reducción, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHA21N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 7 A, Reducción, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHA24N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SiHA5N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SiHP17N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 15 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIHP21N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 165.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SiHP6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
