MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2836
- Referência do fabricante:
- SIHA24N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
84,75 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 650 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,695 € | 84,75 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 228-2836
- Referência do fabricante:
- SIHA24N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 184mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 59nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 35W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 184mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 59nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 35W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 850 V, corriente de drenaje continua máxima de 9 A - SIHA24N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de tipo N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en sistemas electrónicos industriales. Se suministra en un encapsulado de orificio pasante TO-220 para un montaje sencillo y una interfaz térmica, y es adecuado para equipos donde se requiere un manejo robusto de tensión de fuente de drenaje y capacidad de corriente moderada.
Características y ventajas:
• Tensión máxima de drenaje-fuente de 850 V para aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 9 A que permite un manejo moderado de la carga
• Rds(on) de 184 mΩ que proporciona pérdidas de conducción predecibles
• carga de puerta típica de 59 nC que permite energía de conmutación controlada
• Disipación de potencia de 35 W para un espacio térmico significativo
• Temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C compatible con entornos de temperatura elevada
• Corriente de drenaje continua de 9 A que permite un manejo moderado de la carga
• Rds(on) de 184 mΩ que proporciona pérdidas de conducción predecibles
• carga de puerta típica de 59 nC que permite energía de conmutación controlada
• Disipación de potencia de 35 W para un espacio térmico significativo
• Temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C compatible con entornos de temperatura elevada
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación que requieren componentes de conmutación de alta tensión
• Ideal para circuitos de etapa de puerta de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para circuitos de amortiguación y abrazadera de alta tensión en sistemas de automatización
• Puede utilizarse para conmutación en el lado de la línea en equipos de iluminación y control
• Apto para prototipos y placas de producción que necesitan montaje en orificio pasante
• Ideal para circuitos de etapa de puerta de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para circuitos de amortiguación y abrazadera de alta tensión en sistemas de automatización
• Puede utilizarse para conmutación en el lado de la línea en equipos de iluminación y control
• Apto para prototipos y placas de producción que necesitan montaje en orificio pasante
¿Qué límites de tensión de puerta deben respetar los diseñadores para un funcionamiento seguro?
La tensión de fuente de puerta no debe superar 30 V para evitar sobretensión del dieléctrico de puerta.
¿Cómo afecta la gestión térmica a la capacidad de corriente continua?
La potencia nominal de disipación de 35 W supone una disipación térmica eficaz
sin vías térmicas adecuadas, la temperatura de unión aumentará y la capacidad de corriente continua se reducirá.
¿Es este dispositivo adecuado para aplicaciones de automoción que requieren estándares de automoción específicos?
No está designado conforme a estándares específicos de automoción y debe evaluarse frente a requisitos de certificación de nivel de vehículo antes de su uso.
¿Cuáles son las compensaciones de conmutación esperadas dadas la carga de puerta y Rds(on)?
La carga de puerta moderada combinada con una resistencia de conexión de 184 mΩ indica un equilibrio entre pérdidas de conmutación y pérdidas de conducción
la resistencia de la unidad de puerta y la frecuencia de conmutación determinarán la eficiencia general.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA24N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 165.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 15 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP21N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 165.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHP17N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 15 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHA5N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines