MOSFET, N-Canal Vishay SIHA21N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 7 A, Reducción, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
239-8625
Referência do fabricante:
SIHA21N80AEF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Encapsulado

TO-220

Serie

EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.22Ω

Modo de canal

Reducción

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La serie E de Vishay es un MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido. Este MOSFET se utiliza para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, soldaduras y controladores de motor.

Bajo valor de mérito

Capacitancia efectiva baja

Pérdidas de conducción y conmutación bajas

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