MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5808DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 66.6 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 280-0003
- Referência do fabricante:
- SISS5808DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 100 - 236 | 1,65 € | 6,60 € |
| 240 - 996 | 1,615 € | 6,46 € |
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- Código RS:
- 280-0003
- Referência do fabricante:
- SISS5808DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 66.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | 1212-8S | |
| Serie | SISS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00745Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 66.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado 1212-8S | ||
Serie SISS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00745Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
RDS muy bajo x factor de mérito Qg
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
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