MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPP330P10NMAKSA1, VDSS 100 V, ID 62 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
235-4861
Referência do fabricante:
IPP330P10NMAKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

62A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IPP

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

-189nC

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.36mm

Anchura

15.95 mm

Altura

4.57mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de canal P Infineon OptiMOS™ 100V en encapsulado TO-220 representan la nueva tecnología diseñada para aplicaciones de gestión de batería, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su interfaz sencilla con MCU, conmutación rápida y resistencia a avalancha lo convierten en adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en el nivel normal con un amplio rango RDS(ON) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias al bajo QG. Se utiliza en gestión de baterías y automatización industrial.

Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja

Robustez de avalancha

Encapsulado de montaje superficial de tamaño estándar del sector

Rendimiento sólido y fiable

Aumento de la seguridad del suministro

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