MOSFET Infineon IRF9530NPBF, VDSS 100 V, ID 14 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 919-4860
- Referência do fabricante:
- IRF9530NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Preço unitário (Em Tubo de 50)**
0,538 €
550 Disponível para entrega em 4 dia(s) útil(eis).*
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Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo** |
---|---|---|
50 - 50 | 0,538 € | 26,90 € |
100 - 200 | 0,511 € | 25,55 € |
250 - 450 | 0,49 € | 24,50 € |
500 - 1200 | 0,458 € | 22,90 € |
1250 + | 0,431 € | 21,55 € |
**preço indicativo
- Código RS:
- 919-4860
- Referência do fabricante:
- IRF9530NPBF
- Fabricante:
- Infineon
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 14 A, disipación de potencia máxima de 79 W - IRF9530NPBF
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alta eficiencia en los sectores de la automatización, la electrónica y la electricidad. Su configuración de canal P mejora el rendimiento de conmutación, por lo que resulta vital para los sistemas de gestión de potencia. El dispositivo funciona eficazmente en diversos entornos y ofrece un rendimiento constante en condiciones difíciles, lo que lo convierte en un componente importante para ingenieros y diseñadores que buscan durabilidad y eficiencia.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 14 A para un rendimiento sólido
• Compatible con tensiones de drenaje-fuente de hasta 100 V para mayor versatilidad
• La baja resistencia a la conexión de 200mΩ mejora la eficiencia energética
• El diseño del encapsulado TO-220AB facilita el montaje y la disipación del calor
• El funcionamiento en modo de mejora garantiza un rendimiento de conmutación fiable
• La alta tensión umbral de puerta de 4 V permite un control eficaz
• Compatible con tensiones de drenaje-fuente de hasta 100 V para mayor versatilidad
• La baja resistencia a la conexión de 200mΩ mejora la eficiencia energética
• El diseño del encapsulado TO-220AB facilita el montaje y la disipación del calor
• El funcionamiento en modo de mejora garantiza un rendimiento de conmutación fiable
• La alta tensión umbral de puerta de 4 V permite un control eficaz
Aplicaciones
• Adecuado para su integración en circuitos de alimentación
• Se utiliza en sistemas de control de motores para mejorar la eficiencia
• Aplicable en convertidores de potencia para mejorar la gestión de la energía
• Ideal para conmutación de potencia en dispositivos electrónicos
• Empleado en circuitos de controladores de alta corriente para mayor fiabilidad
• Se utiliza en sistemas de control de motores para mejorar la eficiencia
• Aplicable en convertidores de potencia para mejorar la gestión de la energía
• Ideal para conmutación de potencia en dispositivos electrónicos
• Empleado en circuitos de controladores de alta corriente para mayor fiabilidad
¿Cómo puede afectar el rango de temperatura de funcionamiento al uso?
El dispositivo funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, lo que permite su funcionamiento en condiciones extremas sin comprometer el rendimiento.
¿Qué implicaciones tiene la especificación de disipación de potencia máxima?
Con una disipación de potencia máxima de 79 W, el componente puede gestionar importantes demandas de carga, garantizando un funcionamiento estable y una larga vida útil en entornos de alto rendimiento.
¿Puede utilizarse en configuraciones paralelas para aumentar la capacidad de corriente?
Sí, puede disponerse en paralelo para distribuir eficazmente las cargas de corriente, siempre que se aborde adecuadamente la gestión térmica.
¿Qué precauciones deben tomarse durante la instalación?
Un disipador de calor adecuado es esencial para evitar el sobrecalentamiento
es importante asegurarse de que la resistencia térmica se ajusta a las especificaciones del sistema para garantizar la fiabilidad a largo plazo.
¿Cómo influye la selección de dispositivos en el rendimiento general del circuito?
Elegir las especificaciones adecuadas mejora la eficiencia del circuito, reduciendo las pérdidas de potencia y mejorando el rendimiento general del sistema, especialmente en aplicaciones de alta demanda.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 14 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
Serie | HEXFET |
Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 200 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 79 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Material del transistor | Si |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 58 nC a 10 V |
Altura | 8.77mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |