MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4860
- Referência do fabricante:
- IRF9530NPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
27,10 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 550 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 13.450 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,542 € | 27,10 € |
| 100 - 200 | 0,515 € | 25,75 € |
| 250 - 450 | 0,494 € | 24,70 € |
| 500 - 1200 | 0,461 € | 23,05 € |
| 1250 + | 0,434 € | 21,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 919-4860
- Referência do fabricante:
- IRF9530NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 200mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.77mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.77mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 14 A, disipación de potencia máxima de 79 W - IRF9530NPBF
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alta eficiencia en los sectores de la automatización, la electrónica y la electricidad. Su configuración de canal P mejora el rendimiento de conmutación, por lo que resulta vital para los sistemas de gestión de potencia. El dispositivo funciona eficazmente en diversos entornos y ofrece un rendimiento constante en condiciones difíciles, lo que lo convierte en un componente importante para ingenieros y diseñadores que buscan durabilidad y eficiencia.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 14 A para un rendimiento sólido
• Compatible con tensiones de drenaje-fuente de hasta 100 V para mayor versatilidad
• La baja resistencia a la conexión de 200mΩ mejora la eficiencia energética
• El diseño del encapsulado TO-220AB facilita el montaje y la disipación del calor
• El funcionamiento en modo de mejora garantiza un rendimiento de conmutación fiable
• La alta tensión umbral de puerta de 4 V permite un control eficaz
Aplicaciones
• Adecuado para su integración en circuitos de alimentación
• Se utiliza en sistemas de control de motores para mejorar la eficiencia
• Aplicable en convertidores de potencia para mejorar la gestión de la energía
• Ideal para conmutación de potencia en dispositivos electrónicos
• Empleado en circuitos de controladores de alta corriente para mayor fiabilidad
¿Cómo puede afectar el rango de temperatura de funcionamiento al uso?
El dispositivo funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, lo que permite su funcionamiento en condiciones extremas sin comprometer el rendimiento.
¿Qué implicaciones tiene la especificación de disipación de potencia máxima?
Con una disipación de potencia máxima de 79 W, el componente puede gestionar importantes demandas de carga, garantizando un funcionamiento estable y una larga vida útil en entornos de alto rendimiento.
¿Puede utilizarse en configuraciones paralelas para aumentar la capacidad de corriente?
Sí, puede disponerse en paralelo para distribuir eficazmente las cargas de corriente, siempre que se aborde adecuadamente la gestión térmica.
¿Qué precauciones deben tomarse durante la instalación?
Un disipador de calor adecuado es esencial para evitar el sobrecalentamiento; es importante asegurarse de que la resistencia térmica se ajusta a las especificaciones del sistema para garantizar la fiabilidad a largo plazo.
¿Cómo influye la selección de dispositivos en el rendimiento general del circuito?
Elegir las especificaciones adecuadas mejora la eficiencia del circuito, reduciendo las pérdidas de potencia y mejorando el rendimiento general del sistema, especialmente en aplicaciones de alta demanda.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF9530NPBF, VDSS 100 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 23 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID -80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 19 A, Mejora, TO-220 de 3 pines