MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLB8721PBF, VDSS 30 V, ID 62 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 725-9322
- Número do artigo Distrelec:
- 304-45-324
- Referência do fabricante:
- IRLB8721PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 725-9322
- Número do artigo Distrelec:
- 304-45-324
- Referência do fabricante:
- IRLB8721PBF
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 62 A - IRLB8721PBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cuál es el significado de la baja Rds(on) del dispositivo?
¿Cómo afecta la tensión umbral de puerta máxima al rendimiento del dispositivo?
¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta para la gestión térmica en las aplicaciones?
¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de automoción?
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