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    MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si

    Código RS:
    725-9322
    Referência do fabricante:
    IRLB8721PBF
    Fabricante:
    Infineon
    Infineon
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    725-9322
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    IRLB8721PBF
    Fabricante:
    Infineon

    Legislação e Conformidade


    Detalhes do produto

    MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon


    La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.



    Transistores MOSFET, Infineon


    Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.


    Especificações

    AtributoValor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
    Tipo de EncapsuladoTO-220AB
    Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
    Conteo de Pines3
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente9 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima2.35V
    Tensión de umbral de puerta mínima1.35V
    Disipación de Potencia Máxima65 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V
    Material del transistorSi
    Ancho4.83mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+175 °C
    Longitud10.67mm
    Número de Elementos por Chip1
    Carga Típica de Puerta @ Vgs7,6 nC a 4,5 V
    Altura9.02mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    SerieHEXFET
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