MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD42DP15LMATMA1, VDSS 150 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 235-4859
- Referência do fabricante:
- IPD42DP15LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 235-4859
- Referência do fabricante:
- IPD42DP15LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 420mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | -43nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 420mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs -43nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de canal P Infineon OptiMOS™ 150V en encapsulado DPAK representan la nueva tecnología diseñada para aplicaciones de gestión de batería, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su interfaz sencilla con MCU, conmutación rápida y resistencia a avalancha lo convierten en adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en el nivel lógico con un amplio rango RDS(ON) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias al bajo QG. Se utiliza en gestión de baterías y automatización industrial.
Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja
Robustez de avalancha
Encapsulado de montaje superficial de tamaño estándar del sector
Rendimiento sólido y fiable
Aumento de la seguridad del suministro
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