MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
217-2518
Referência do fabricante:
IPD50P04P413ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

58W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de la serie IPD de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V, corriente de drenaje continua máxima de 50 A - IPD50P04P413ATMA2


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal P diseñado para controlar altas corrientes en entornos exigentes, proporcionando un interruptor de semiconductor capaz de manejar cargas de fuente de drenaje sustanciales al tiempo que tolera amplios rangos de temperatura.

Características y ventajas:


• El valor nominal de drenaje-fuente de 40 V permite aplicaciones de conmutación de tensión media
• La capacidad de drenaje continuo de 50 A admite cargas de alta corriente
• La Rds(on) de 12,6 mΩ minimiza las pérdidas por conducción para un funcionamiento eficiente
• La disipación de potencia máxima de 58 W permite un manejo de potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 39 nC proporciona requisitos de energía de conmutación predecibles
• La tensión nominal de puerta de 20 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos

Aplicaciones


• Apto para módulos de distribución de potencia de automoción
• Ideal para conmutar cargas de alta corriente en unidades de control
• Se utiliza con sistemas de gestión térmica para funcionar a temperaturas elevadas
• Puede utilizarse para la protección de la batería y el control de la ruta de alimentación
• Compatible con montaje en orificio pasante en conjuntos de alimentación

¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar con fiabilidad?


Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 175 °C.

¿Qué tipo de encapsulado y método de montaje se utilizan?


Se suministra en un encapsulado TO-252 diseñado para montaje en orificio pasante.

¿Cómo afecta la cifra de carga de puerta al diseño de conmutación?


Una carga de puerta de 39 nC indica la energía del accionamiento de puerta y influye en el tamaño del controlador y las pérdidas de conmutación.

¿Es adecuado para su uso en sistemas electrónicos de automoción?


Cumple el estándar de dispositivos de automoción AEC-Q101 para su idoneidad en entornos de vehículos.

¿Cuál es la tensión máxima permitida de puerta a fuente?


La tensión nominal máxima de VGS es de 20 V.

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