MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2518
- Referência do fabricante:
- IPD50P04P413ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2518
- Referência do fabricante:
- IPD50P04P413ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 58W | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 58W | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon -40V, P-Ch, 12,6 MΩ máx., MOSFET de automoción, DPAK, OptiMOS™-P2.
Canal P - nivel normal - modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado verde (compatible con RoHS)
Prueba de avalancha al 100 %
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