MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L022N120M3S, VDSS 1200 V, ID 68 A, N, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 233-6854
- Referência do fabricante:
- NTH4L022N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
13,58 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 258 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 13,58 € |
| 10 + | 11,71 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 233-6854
- Referência do fabricante:
- NTH4L022N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 325W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 151nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -0.45 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Altura | 41.36mm | |
| Anchura | 5.2 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 325W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 151nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -0.45 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 15.8mm | ||
Altura 41.36mm | ||
Anchura 5.2 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) – EliteSiC, 22 mohm, 1.200 V, M3S, TO-247-4L
EL ON Semiconductor NTH4L022N120M3S es un MOSFET de canal N sencillo de alimentación SiC. Está disponible en un encapsulado TO247-4L. Con una tensión de drenador a fuente de 1200 V y una corriente de drenaje continua de 68 A, el NTH4L022N120M3S se utiliza en aplicaciones como inversores solares, estaciones de carga de vehículos eléctricos, SAI (fuentes de alimentación ininterrumpida), sistemas de almacenamiento de energía, SMPS (fuentes de alimentación de modo conmutado).
El RDS(on) típico para este dispositivo es de 22 mꭥ con VGS de 18 V.
El dispositivo ofrece bajas pérdidas de conmutación
Se ha probado con un 100 % de avalancha
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 68 A, N, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, TO-247 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL045N065SC1, VDSS 1200 V, ID 58 A, TO-247 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-247 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 17.3 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-247 de 4 pines