MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL045N065SC1, VDSS 1200 V, ID 58 A, TO-247 de 5 pines

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Código RS:
241-0744
Referência do fabricante:
NTHL045N065SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NTHL

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

105nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


MOSFET de carburo de silicio de canal N de 650 V y 42 mΩ ON Semiconductor. El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una fiabilidad superior en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de conexión y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la máxima eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, EMI reducida y tamaño reducido del sistema.

Alta temperatura de unión

conmutación de alta velocidad y baja capacitancia

RDS(on) máx. = 50 mΩ a Vgs = 18 V, Id = 66 A

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