MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 84 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 202-5696
- Referência do fabricante:
- NTH4L020N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 202-5696
- Referência do fabricante:
- NTH4L020N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 84A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 28mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 220nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 510W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 3.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 15.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.2 mm | |
| Longitud | 18.62mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 84A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 28mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 220nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 510W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 3.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 15.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.2 mm | ||
Longitud 18.62mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 20 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-4L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 20 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-4L
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 102 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc o dc, inversor de impulso.
Resistencia de drenaje a conexión de fuente 20Mo
Carga de puerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Sin plomo
En conformidad con RoHS
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