MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 44 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 189-0265
- Referência do fabricante:
- NVHL080N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 189-0265
- Referência do fabricante:
- NVHL080N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 44A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 162mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 348W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 4V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.82 mm | |
| Altura | 20.82mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 44A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 162mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 348W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 4V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.87mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.82 mm | ||
Altura 20.82mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC), canal N - EliteSiC, 80 mohm, 1.200 V, M1, TO247−3
Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad que el silicio. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Las ventajas para el sistema incluyen mayor eficacia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, EMI reducidas y menor tamaño y costes del sistema.
1200V nominal
RDS(on) máx. = 8,1 mΩ con VGS = 20V, ID = 20A
High Speed Switching and Low Capacitance
Devices are Pb-Free
Aplicaciones
PFC
OBC
Productos finales
Automotive DC/DC converter for EV/PHEV
Automotive On Board Charger
Automoción, controlador de motor múltiple
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