MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, TO-247 de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 tubo de 450 unidades)*

3 253,95 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 27 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
450 +7,231 €3 253,95 €

*preço indicativo

Código RS:
241-0743
Referência do fabricante:
NTHL045N065SC1
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NTHL

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

105nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


MOSFET de carburo de silicio de canal N de 650 V y 42 mΩ ON Semiconductor. El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una fiabilidad superior en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de conexión y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la máxima eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, EMI reducida y tamaño reducido del sistema.

Alta temperatura de unión

conmutación de alta velocidad y baja capacitancia

RDS(on) máx. = 50 mΩ a Vgs = 18 V, Id = 66 A

Links relacionados