MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- Código RS:
- 201-4415
- Referência do fabricante:
- SCT20N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 201-4415
- Referência do fabricante:
- SCT20N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 203mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Altura | 10.4mm | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 203mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.7mm | ||
Altura 10.4mm | ||
Longitud 15.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. El material SiC tiene excelentes propiedades térmicas.
Variación muy ajustada de resistencia de conexión frente a. temperatura
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
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