MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

10 483,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 23 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
1000 +10,483 €10 483,00 €

*preço indicativo

Código RS:
201-4415
Referência do fabricante:
SCT20N120H
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SiC MOSFET

Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

203mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.8mm

Altura

10.4mm

Anchura

4.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. El material SiC tiene excelentes propiedades térmicas.

Variación muy ajustada de resistencia de conexión frente a. temperatura

Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

Links relacionados