MOSFET, N-Canal STMicroelectronics SCT025H120G3AG, VDSS 1.2 kV, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- Código RS:
- 214-952
- Referência do fabricante:
- SCT025H120G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 214-952
- Referência do fabricante:
- SCT025H120G3AG
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 2.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.25mm | |
| Altura | 4.8mm | |
| Anchura | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 2.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.25mm | ||
Altura 4.8mm | ||
Anchura 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
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