MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT025H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- Código RS:
- 214-952
- Referência do fabricante:
- SCT025H120G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 214-952
- Referência do fabricante:
- SCT025H120G3AG
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 2.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.25mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Altura | 4.8mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 2.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.25mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Altura 4.8mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Alta velocidad de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
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