MOSFET, N-Canal Infineon ISC0802NLSATMA1, VDSS 100 V, ID 150 A, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 232-6757
- Referência do fabricante:
- ISC0802NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
2,11 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 832 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,055 € | 2,11 € |
| 20 - 48 | 0,95 € | 1,90 € |
| 50 - 98 | 0,88 € | 1,76 € |
| 100 - 198 | 0,83 € | 1,66 € |
| 200 + | 0,775 € | 1,55 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 232-6757
- Referência do fabricante:
- ISC0802NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Anchura | 1.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.1mm | ||
Anchura 1.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 100 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Su encapsulado SuperSO8 ofrece una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.
Disponibilidad de nivel lógico
Excelente comportamiento térmico
100 % a prueba de avalancha
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 150 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 3.6 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 1.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF7451TRPBF, VDSS 150 V, ID 3.6 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF7465TRPBF, VDSS 150 V, ID 1.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -12 A, SO-8
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SO-8
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF9388TRPBF, VDSS -30 V, ID -12 A, SO-8