MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL125N8F7AG, VDSS 80 V, ID 120 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 230-0097
- Referência do fabricante:
- STL125N8F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,832 € | 14,16 € |
| 25 - 45 | 2,69 € | 13,45 € |
| 50 - 120 | 2,422 € | 12,11 € |
| 125 - 245 | 2,182 € | 10,91 € |
| 250 + | 2,072 € | 10,36 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 230-0097
- Referência do fabricante:
- STL125N8F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | STL1 | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.4mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie STL1 | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.4mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El STMicroelectronics STL125N8F7AG es un MOSFET de potencia de canal N que utiliza tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que proporciona una resistencia de estado de conexión muy baja, al tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Alta resistencia a avalancha
Encapsulado de flanco sumergible
Certificación AEC-Q101
Excelente FOM
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