MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 120 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 219-4229
- Referência do fabricante:
- STL260N4LF7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 219-4229
- Referência do fabricante:
- STL260N4LF7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL260N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5 mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL260N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5 mm | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET STMicroelectronics de potencia de canal N utiliza tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta Trench mejorada que proporciona una resistencia de estado de conexión muy baja, al tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Entre las RDS(on) más bajas del mercado
Excelente FOM (factor de mérito)
Relación CRSs/CISS baja para inmunidad EMI
Alta resistencia a avalancha
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