MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL105N8F7AG, VDSS 80 V, ID 95 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 228-3031
- Referência do fabricante:
- STL105N8F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 95A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 127W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 95A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 127W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N STMicroelectronics utiliza tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que proporciona una resistencia de estado de conexión muy baja, al tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Entre los RDS(on) más bajos del mercado
Excelente FOM (cifra de mérito)
Relación de CRSs/CISS baja para inmunidad EMI
Alta resistencia a avalancha
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