MOSFET de potencia STMicroelectronics, N-Canal STL180N8F8, VDSS 80 V, ID 181 A, PowerFLAT, N de 8 pines, config. Modo de
- Código RS:
- 898-600
- Referência do fabricante:
- STL180N8F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 898-600
- Referência do fabricante:
- STL180N8F8
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 181A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | STL | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Configuración de transistor | Modo de mejora | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK2 | |
| Longitud | 5.8mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 181A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie STL | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Configuración de transistor Modo de mejora | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK2 | ||
Longitud 5.8mm | ||
Anchura 5mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics está diseñado en tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada. Garantiza una cifra de mérito de última generación para una resistencia en estado activo muy baja al tiempo que reduce las capacitancias internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Grado MSL1
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja
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