MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBG045N065SC1, VDSS 650 V, ID 62 A, N, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 229-6444
- Referência do fabricante:
- NTBG045N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
11,44 €
Adicione 7 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- Mais 728 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 11,44 € |
| 10 - 99 | 9,85 € |
| 100 - 499 | 8,54 € |
| 500 + | 7,51 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 229-6444
- Referência do fabricante:
- NTBG045N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SiC Power | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 50mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 4.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 242W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 105nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Altura | 9.4mm | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SiC Power | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 50mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 4.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 242W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 105nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.2mm | ||
Altura 9.4mm | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de la serie SIC Power DE ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE CONEXIÓN y el tamaño de chip compacto garantizan baja capacitancia y carga de puerta.
Más alta eficacia
Frecuencia de funcionamiento más rápida
Mayor densidad de potencia
EMI reducidas
Tamaño reducido del sistema
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 62 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 145 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBG015N065SC1, VDSS 650 V, ID 145 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 62 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 36 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines