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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	110mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	240W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	62nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	9.65 mm
	Longitud	10.67mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	4.58mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 240W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 62nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 9.65 mm
	Longitud 10.67mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 4.58mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: Não conforme

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 62 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 522 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

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