MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 145 A, N, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 229-6441
- Referência do fabricante:
- NTBG015N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
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- 229-6441
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- NTBG015N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 145A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SiC Power | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 283nC | |
| Tensión directa Vf | 4.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.4mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 145A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SiC Power | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 283nC | ||
Tensión directa Vf 4.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.4mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de la serie SIC Power DE ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE CONEXIÓN y el tamaño de chip compacto garantizan baja capacitancia y carga de puerta.
Más alta eficacia
Frecuencia de funcionamiento más rápida
Mayor densidad de potencia
EMI reducidas
Tamaño reducido del sistema
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