MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 186-1280
- Referência do fabricante:
- NVB072N65S3
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 186-1280
- Referência do fabricante:
- NVB072N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 44A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SuperFET III MOSFET Easy-drive | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 107mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 82nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 312W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.58mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 44A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SuperFET III MOSFET Easy-drive | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 107mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 82nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 312W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.58mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não conforme
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET Easy drive series helps manage EMI issues and allows for easier design implementation.
700 V @ TJ = 150°C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 78 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 715 pF)
PPAP Capable
Typ. RDS(on) = 63 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
PPAP Capable
Applications
HV DC/DC converter
End Products
On Board Charger
DC/DC Converter
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