MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 46 A, Mejora, TO-LL de 8 pines
- Código RS:
- 228-3052
- Referência do fabricante:
- STO65N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 228-3052
- Referência do fabricante:
- STO65N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 46A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-LL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 76mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 65.2nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 46A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-LL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 76mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65.2nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación (Qrr) muy baja, tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Menor RDS(on) por área con respecto a la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Protección Zener
Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto de fuente de accionamiento adicional
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