Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT070R70HTO, VDSS 700 V, ID 26 A, Mejora, TO-LL de 13 pines

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Código RS:
719-630
Referência do fabricante:
SGT070R70HTO
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Transistor

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

G-HEMT

Encapsulado

TO-LL

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

13

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

70mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

231W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.58mm

Altura

2.4mm

COO (País de Origem):
CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V y 26 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.

Modo de mejora normalmente apagado transistor

Velocidad de conmutación muy alta

Alta capacidad de gestión de potencia

Capacitancias muy bajas

Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima

Carga de recuperación inversa cero

Protección ESD

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