MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP50N60DM6, VDSS 600 V, ID 36 A, Mejora, TO-LL de 8 pines
- Código RS:
- 206-8634
- Referência do fabricante:
- STP50N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 206-8634
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- STP50N60DM6
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | STP50N60DM6 | |
| Encapsulado | TO-LL | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Altura | 4.4mm | |
| Anchura | 10 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie STP50N60DM6 | ||
Encapsulado TO-LL | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 28.9mm | ||
Altura 4.4mm | ||
Anchura 10 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Protección Zener
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