MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO60N045DM9, VDSS 600 V, ID 55 A, TO-LL de 8 pines, config. Canal N
- Código RS:
- 358-979
- Referência do fabricante:
- STO60N045DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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*preço indicativo
- Código RS:
- 358-979
- Referência do fabricante:
- STO60N045DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Frecuencia de Funcionamiento | 1 MHz | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Potencia de salida | 255W | |
| Serie | STO60 | |
| Encapsulado | TO-LL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Canal N | |
| Anchura | 10 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 11.88mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Frecuencia de Funcionamiento 1 MHz | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Potencia de salida 255W | ||
Serie STO60 | ||
Encapsulado TO-LL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Canal N | ||
Anchura 10 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 11.88mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la innovadora tecnología de superunión MDmesh DM9, adecuada para MOSFET de media/alta tensión. La tecnología DM9, basada en silicio, se beneficia de un proceso de fabricación multidrenaje que permite mejorar la estructura del dispositivo. El diodo con carga de recuperación (Qrr), tiempo (trr) y RDS(on) muy bajos hace que este MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida esté adaptado a las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y a los convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
FOM muy bajo
Baja capacitancia y resistencia de entrada
100 % a prueba de avalanchas
Robustez dv por dt extremadamente alta
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