MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO60N030M9, VDSS 600 V, ID 79 A, TO-LL de 8 pines, config. Canal N
- Código RS:
- 358-978
- Referência do fabricante:
- STO60N030M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 358-978
- Referência do fabricante:
- STO60N030M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Frecuencia de Funcionamiento | 1 MHz | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 79A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Potencia de salida | 255W | |
| Encapsulado | TO-LL | |
| Serie | STO60 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Canal N | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 10mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 11.88 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Frecuencia de Funcionamiento 1 MHz | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 79A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Potencia de salida 255W | ||
Encapsulado TO-LL | ||
Serie STO60 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Canal N | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 10mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 11.88 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la innovadora tecnología de superunión MDmesh M9, adecuada para MOSFET de media/alta tensión. La tecnología M9 basada en silicio, se beneficia de un proceso de fabricación multidrenaje que permite mejorar la estructura del dispositivo. El producto resultante tiene una de las resistencias de conexión y valores de carga de puerta más bajos entre todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia extraordinaria.
FOM muy bajo
Clasificación VDSS más alta
Mayor capacidad dv por dt
Fácil de conducir
100 % a prueba de avalanchas
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