MOSFET, N-Canal Vishay SiSS54DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 185.6 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
228-2932
Referência do fabricante:
SiSS54DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

185.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.06mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de 30 V (D-S) Vishay.

100 % Rg y UIS probados

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