MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 52 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
188-4889
Referência do fabricante:
SIS862ADN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

52A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SiS862ADN

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.8nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.07mm

Longitud

3.15mm

Anchura

3.15 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET N-Channel 60 V (D-S)

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

Muy bajo RDS x Qg figura de mérito (FOM)

Sintonizado para el RDS más bajo x QOSS FOM

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