MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHB21N80AE-T5-GE3, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 735-129
- Referência do fabricante:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 1 unidade)*
3,61 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 28 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,61 € |
| 10 - 49 | 2,23 € |
| 50 - 99 | 1,74 € |
| 100 + | 1,44 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-129
- Referência do fabricante:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SIHB21N80AE | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.205Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 0.42mm | |
| Anchura | 0.355mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SIHB21N80AE | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.205Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 0.42mm | ||
Anchura 0.355mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece alta eficiencia y rendimiento robusto en fuentes de alimentación, adecuado para aplicaciones exigentes en entornos de servidores y telecomunicaciones. Está diseñado para optimizar la gestión de la energía y minimizar las pérdidas.
Baja capacitancia efectiva que contribuye a tiempos de respuesta más rápidos
La configuración única agiliza el diseño y la integración
Links relacionados
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHB21N80AE-T1-GE3, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHW21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB120N60E-T5-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-263 de 3 pines