MOSFET Vishay, N-Canal SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 228-2834
Referência do fabricante:: SIA938DJT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, N-Canal SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

450,00 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €

Em stock

Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Bobina*
3000 +	0,15 €	450,00 €

*preço indicativo

Código RS:: 228-2834
Referência do fabricante:: SIA938DJT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SC-70
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	21.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	7.8W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	12V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.5nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SC-70
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 7.8W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.5nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIA938DJT-T1-GE3

MOSFET serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,5 A - SIA938DJT-T1-GE3

Este MOSFET es un transistor de modo de mejora de canal N compacto diseñado para la gestión de potencia de montaje en superficie. Ofrece una solución de conmutación de baja tensión adecuada para conjuntos electrónicos densos y está diseñado para aplicaciones que requieren control de dos canales en un encapsulado SC-70 de 8 contactos. El dispositivo gestiona corrientes continuas moderadas y disipa potencia limitada al tiempo que funciona en un amplio rango de temperaturas.

Características y ventajas:

• La baja resistencia de encendido de 21.5 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La tensión de drenaje máxima de 20 V admite sistemas de baja tensión
• La corriente de drenaje nominal continua de 4,5 A permite cargas moderadas
• La carga de puerta de 3,5 nC permite una conmutación más rápida y una menor energía de accionamiento
• La capacidad de disipación de potencia de 7,8 W ayuda al presupuesto térmico
• El rango de funcionamiento de -55 a 150 °C permite el despliegue a altas temperaturas

Aplicaciones

• Adecuado para etapas de distribución de DC alimentadas por batería
• Ideal para rectificación síncrona en convertidores de potencia
• Se utiliza para conmutar cargas de dos canales en placas compactas
• Se puede utilizar para etapas de baja tensión de accionamiento de motor
• Adecuado para entornos con problemas térmicos que requieren piezas de alta temperatura

¿Qué método de montaje admite en una PCB?

Se suministra para montaje en superficie en un encapsulado SC-70 de 8 pines, lo que facilita la soldadura automatizada y una disposición compacta.

¿Cómo maneja el dispositivo los límites de accionamiento de puerta?

La tensión de fuente de puerta no debe superar 12 V para evitar la tensión dieléctrica de puerta durante el funcionamiento.

¿Es adecuado el transistor para configuraciones complementarias?

Se trata de una disposición de canal N doble con dos elementos por matriz, lo que permite topologías de interruptor emparejadas donde se requieren dos dispositivos de tipo N.

¿Qué extremos térmicos puede tolerar durante el uso?

El dispositivo está clasificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que permite su uso en un amplio rango térmico.